本發(fā)明公開了一種原位光電測試裝置,涉及
半導體材料測試技術領域,包括反應爐、激光發(fā)射結構和電學性能測試結構,所述反應爐內設置有承載結構,所述承載結構用于承載樣品材料,所述激光發(fā)射結構通過所述反應爐的一端照射向所述承載結構上的樣品材料,所述承載結構上的樣品材料與所述電學性能測試結構電連接。本發(fā)明通過激光發(fā)射結構引入不同波長的可見光及紫外光,實現(xiàn)光催化或者光生電流,能夠以原位的方式對光化學氣相沉積過程中樣品材料的生長、物相變化、結晶生長等過程進行實時光電性能進行表征與研究。
聲明:
“原位光電測試裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)