本發(fā)明公開(kāi)了一種預(yù)沉積擴(kuò)散源制備銦鎵砷光電探測(cè)器
芯片的擴(kuò)散方法,它涉及化合物半導(dǎo)體器件制造的擴(kuò)散工藝。其通過(guò)磁控濺射的方式在制備有氮化硅擴(kuò)散掩膜的銦鎵砷外延片上預(yù)沉積上一層鋅擴(kuò)散源,采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備將鋅擴(kuò)散源覆蓋起來(lái),在快速退火爐中進(jìn)行開(kāi)管高溫梯度擴(kuò)散,完成化合物半導(dǎo)體銦鎵砷外延片的鋅擴(kuò)散工藝。本發(fā)明擴(kuò)散出的銦鎵砷光電探測(cè)芯片光電性能片內(nèi)、片間均勻性好、重復(fù)性好,可根據(jù)快速退火爐尺寸相應(yīng)擴(kuò)大銦鎵砷外延片尺寸,特別適合三五族化合物半導(dǎo)體探測(cè)器芯片的生產(chǎn)。
聲明:
“預(yù)沉積擴(kuò)散源制備銦鎵砷光電探測(cè)器芯片的擴(kuò)散方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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