本發(fā)明提供了一種基于硫化鉭薄膜的測輻射熱計及其制備方法和用途,所述測輻射熱計包括硫化鉭薄膜、支撐電極和讀出電路,其中硫化鉭薄膜懸空放置于支撐電極上,支撐電極與讀出電路連接。本發(fā)明中所述硫化鉭薄膜通過低壓化學(xué)氣相沉積方法在基底上生長并通過濕法轉(zhuǎn)移去掉基底成為懸空薄膜;所述硫化鉭薄膜位于支撐電極之上,吸收熱輻射使自身溫度發(fā)生改變,所述硫化鉭薄膜作為熱敏材料具備極高的電阻溫度系數(shù),可在讀出電路中測出電路的阻值變化,從而可用于紅外探測、紅外成像、熱成像等。
聲明:
“基于硫化鉭薄膜的測輻射熱計及其制備方法和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)