本發(fā)明提出了本發(fā)明提出一種g?CN/Si異質(zhì)結(jié)位置敏感探測器及其制備方法,g?CN/Si異質(zhì)結(jié)位置敏感探測器包括硅襯底和硅襯底的上沉積的g?CN薄膜,以及g?CN薄膜上設(shè)置有四個電極;所屬制備方法包括:(1)采用化學(xué)氣相沉積在Si襯底上制備g?CN薄膜;(2)在g?CN薄膜上通過熱蒸發(fā)技術(shù)蒸鍍金屬層,采用紫外光刻技術(shù)去除金屬層多余的金屬,得到電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的位置敏感探測器顯示出極高的位置靈敏度,可以實(shí)現(xiàn)對光斑位置的實(shí)時追蹤測試。
聲明:
“g-CN/Si異質(zhì)結(jié)位置敏感探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)