本發(fā)明涉及探測器的技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種三臺面p-π-n結(jié)構(gòu)III族氮化物半導(dǎo)體雪崩光電探測器及其制備方法。一種三臺面p-π-n結(jié)構(gòu)III族氮化物半導(dǎo)體雪崩光電探測器,其中,包括襯底,利用外延生長法,如分子束外延或金屬有機化學(xué)氣相沉積外延法,依次生長在襯底上的緩沖層,n型摻雜氮化物歐姆電極接觸層,π型氮化物有源層,p型摻雜氮化物層,重?fù)诫sp型氮化物歐姆接觸層,制作在n型層上的n型歐姆接觸電極,制作于p型層上的p型歐姆接觸電極。本發(fā)明可改善傳統(tǒng)p-i-n結(jié)構(gòu)器件漏電流較大以及容易發(fā)生邊緣提前擊穿的問題,而且三臺面結(jié)構(gòu)對p-π-n結(jié)構(gòu)器件的強弱電場區(qū)的邊緣電場實施了雙抑制保護,有效防止結(jié)邊緣電場的提前擊穿。
聲明:
“三臺面p-π-n結(jié)構(gòu)III族氮化物半導(dǎo)體雪崩光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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