一種雙壘量子阱結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體紅外光電探測器及其制造方法,探測器包括:電源、金屬接觸層及核心部件,所述的核心部件包括:GaAs襯底層,在所述GaAs襯底層上通過分子束外延技術(shù)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積由下至上依次逐層生長的:n型摻雜的GaAs緩沖層;n型摻雜的GaAs下接觸層;雙壘結(jié)構(gòu)的多量子阱層核心工作區(qū):以最外一層較厚勢壘,較薄的內(nèi)勢壘,勢阱,內(nèi)勢壘為一周期,依次交替生長多個周期而形成的;n型摻雜的GaAs上接觸層;所述的多量子阱層,每一個周期包括一個AlzGa1-zAs外勢壘層,兩個AlAs勢壘層,和一個InxGa1-xAs1-yNy勢阱層。本發(fā)明優(yōu)點是:可工作于1.31μm左右的光通訊波段,并且具有很強(qiáng)的波長可調(diào)性以及更快的響應(yīng)速度。
聲明:
“雙壘量子阱結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體紅外光電探測器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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