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集成多晶硅超表面的砷化鎵基太赫茲探測器及制作方法

745   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-19 07:29:08
本發(fā)明公開了一種集成多晶硅超表面的砷化鎵基太赫茲探測器及制作方法,制作方法包括:在高導砷化鎵襯底上,通過液相外延、分子束外延、離子注入、化學氣相沉積、快速熱退火、光刻、感應耦合等離子體刻蝕、電子束蒸發(fā)等工藝制作正、負電極和多晶硅超表面結構,完成器件封裝。本發(fā)明采用液相外延法生長砷化鎵摻硫吸收層,以及集成多晶硅超表面結構,可解決高導砷化鎵襯底無法外延生長高質量大厚度吸收層的問題,在保證晶體質量的前提下,達到對太赫茲輻射信號完全吸收的目的,提高了吸收效率及探測響應率。快速熱退火過程中采用多晶硅膜包覆法,避免了高溫過程中砷元素的析出以及砷化鎵晶體分解,提高了探測器的穩(wěn)定性和工藝制備的成品率。
聲明:
“集成多晶硅超表面的砷化鎵基太赫茲探測器及制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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