本發(fā)明公開了一種集成
多晶硅超表面的砷化鎵基太赫茲探測器及制作方法,制作方法包括:在高導砷化鎵襯底上,通過液相外延、分子束外延、離子注入、化學氣相沉積、快速熱退火、光刻、感應耦合等離子體刻蝕、電子束蒸發(fā)等工藝制作正、負電極和多晶硅超表面結構,完成器件封裝。本發(fā)明采用液相外延法生長砷化鎵摻硫吸收層,以及集成多晶硅超表面結構,可解決高導砷化鎵襯底無法外延生長高質量大厚度吸收層的問題,在保證晶體質量的前提下,達到對太赫茲輻射信號完全吸收的目的,提高了吸收效率及探測響應率。快速熱退火過程中采用多晶硅膜包覆法,避免了高溫過程中砷元素的析出以及砷化鎵晶體分解,提高了探測器的穩(wěn)定性和工藝制備的成品率。
聲明:
“集成多晶硅超表面的砷化鎵基太赫茲探測器及制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)