一種鈍化InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器制作方法,包括:采用金屬化學(xué)有機氣相沉積方法或分子束外延方法,在襯底上依次生長緩沖層、二類超晶格層、本征二類超晶格光吸收層、N型二類超晶格層和N型歐姆接觸層,形成外延片;對外延片進行光刻,然后采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法,對外延片進行腐蝕或刻蝕;使用甩膠機在刻蝕后的外延片的表面上涂覆樹脂材料;進行曝光;進行中烘,顯影,在涂覆樹脂材料的外延片上形成上電極和光進入窗口和下電極窗口,制作電極材料;對電極材料進行光刻,形成上電極和下電極;本發(fā)明是采用該制作方法鈍化的器件具有較低的暗電流,ROA增加;其具有制造工藝不復(fù)雜、鈍化膜強度大,鈍化效果好等特點。
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