本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于大電流傳感器的氧化鉛摻雜石英光纖的制備方法，屬光纖技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法(MCVD)制棒機(jī)上沉積摻雜少量高折射率的GeO2芯棒，在芯棒上利用直接納米粒子沉積法，將氧化鉛納米粒子均勻沉積在含GeO2的芯棒表面，然后采用MCVD技術(shù)制備包層材料，最后高溫縮棒得到光纖預(yù)制棒并進(jìn)行光纖拉制。本發(fā)明中的一種應(yīng)用于大電流傳感器的氧化鉛摻雜石英光纖結(jié)構(gòu)簡單、合理，具有均一性好、分散性高、摻雜濃度高、納米量級摻雜及Verdet常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖大電流傳感器，光隔離器，及抗輻射光纖傳感器、非線性光學(xué)以及磁光開關(guān)，磁光調(diào)制器等其他磁光器件的應(yīng)用。