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基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法

954   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:29:13
本發(fā)明涉及一種鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法,通過使用鉭摻雜氧化錫濺射靶材,利用磁控濺射法在普通載玻片或單晶硅片上制備出鉭摻雜氧化錫薄膜,然后對(duì)薄膜進(jìn)行羥基化、氨基硅烷化、醛基化修飾,制得醛基修飾的基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料。本發(fā)明制備的載體材料具有表面平坦致密、厚度均勻、活性基團(tuán)密度高、親水性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高、電阻率低以及生物相容性好等特性,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)生物信號(hào)的高靈敏度、高可靠性和強(qiáng)特異性無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)、識(shí)別與分析,可以適于采用無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片。本發(fā)明還具有制備工藝簡(jiǎn)單易行,成本低廉,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)。
聲明:
“基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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