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基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料

1011   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:29:13
本發(fā)明涉及一種鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料,它由普通玻片或單晶硅片基底材料、鉭摻雜氧化錫薄膜及醛基活性修飾層組成,并且鉭摻雜氧化錫薄膜的成分為下列質(zhì)量百分含量:TA 0.8~8.2%;SN 70.9~78%;O 20.9~21.2%。所提供的載體材料具有表面平坦致密、厚度均勻、活性基團(tuán)密度高、親水性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高、電阻率低以及生物相容性好等特性,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)生物信號(hào)的高靈敏度、高可靠性和強(qiáng)特異性無(wú)標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)、識(shí)別與分析,該載體材料適于采用無(wú)標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片。本發(fā)明還具有制備工藝簡(jiǎn)單易行,成本低廉,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)等特點(diǎn)。
聲明:
“基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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