本發(fā)明涉及粉末高溫合金盤件制備技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種粉末高溫合金盤件的缺陷解剖方法。一種粉末高溫合金盤件的缺陷解剖方法,包括以下步驟:檢測粉末高溫合金盤件中的缺陷位置并進行切割,切割得到的樣品中包含所述缺陷;采用計算機斷層掃描對切割得到的樣品中的缺陷進行定位,再采用機加工去除缺陷之上覆蓋的部分多余合金,剩余部分的多余合金進行打磨,同時采用顯微鏡觀察打磨面,直至發(fā)現(xiàn)缺陷,再對所述打磨面進行拋光,再采用電子探針分析所述缺陷的化學成分。本發(fā)明中的方法可大幅度提高粉末高溫合金盤件中缺陷解剖的獲取概率;可實現(xiàn)對缺陷化學成分的準確、定量測量。
聲明:
“粉末高溫合金盤件的缺陷解剖方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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