本發(fā)明公開了一種表面增強(qiáng)激光誘導(dǎo)擊穿光譜增強(qiáng)方法,該方法借助氬原子存在激發(fā)能態(tài)較低的亞穩(wěn)態(tài),容易電離產(chǎn)生電子的優(yōu)勢,增加電子數(shù)密度,提高等離子體的發(fā)射光譜強(qiáng)度,改善表面增強(qiáng)激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)(SENLIBS)的檢測極限。相對(duì)于現(xiàn)有的SENLIBS技術(shù)預(yù)處理方法,本發(fā)明方法避免了現(xiàn)有預(yù)處理方法(如液?液萃取,化學(xué)置換)的繁瑣性,提高了SENLIBS技術(shù)的分析效率。
聲明:
“表面增強(qiáng)激光誘導(dǎo)擊穿光譜增強(qiáng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)