本發(fā)明屬于基本電器元件領域,具體的說,本發(fā)明提供了一種三維點陣納米結構電極及其制備方法。采用各種手段,包括物理、化學或
電化學的方法制備與加工納米
功能材料是近來納米制備技術的前沿領域。傳統(tǒng)方法在電極表面制作電聚合高分子膜,一般使用一步法完成,該一步法可以是恒電流電解過程,也可以是恒電位電解過程。這樣制備得到的電聚合高分子膜呈現(xiàn)的是網(wǎng)絡狀的平面展開的結構,不具有三維點陣立體結構的特征?；诙嗖胶汶娏?a href="http://www.189000b.com/news_show-11759.html" target="_blank">電解技術,本發(fā)明提供了一種的三維點陣納米高分子有序膜及其制備方法。該三維膜的比表面遠大于傳統(tǒng)方法得到的高分子膜。因此,本發(fā)明的電極可有效用于制備高通量的
芯片,檢測、鑒定待測物中目的分子的含量。
聲明：
“三維點陣納米結構電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月21日 ~ 23日 
