本發(fā)明屬于紅外光譜技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種摻硼金剛石修飾的衰減全反射晶片、其制備和應(yīng)用。其以衰減全反射晶片為基底,在所述基底的表面設(shè)置有摻硼金剛石薄膜層,所述摻硼金剛石薄膜層的電阻率為10
?3~1Ω·cm;紅外光以一定角度入射至所述衰減全反射晶片內(nèi)表面,該內(nèi)表面與所述摻硼金剛石薄膜層相鄰,所述紅外光在該內(nèi)表面上發(fā)生折射和反射,折射后的紅外光進(jìn)入所述摻硼金剛石薄膜層,且在所述摻硼金剛石薄膜層內(nèi)發(fā)生全發(fā)射。該晶片實(shí)現(xiàn)良好導(dǎo)電作用的同時(shí)又使得紅外信號(hào)檢測(cè)成為可能,可實(shí)現(xiàn)待測(cè)分子在BDD電極表面
電化學(xué)過(guò)程中的原位電化學(xué)檢測(cè),在電化學(xué)、原位紅外檢測(cè)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“摻硼金剛石修飾的衰減全反射晶片、其制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)