本發(fā)明屬于先進(jìn)碳材料和半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種大面積單晶
石墨烯的簡便、穩(wěn)定的制備方法,適用于毫米級單晶石墨烯的制備。本發(fā)明在1000℃下以甲烷(CH4)為碳源、氫氣為還原性氣體利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)法生長單晶石墨烯。本發(fā)明無需對銅箔進(jìn)行丙酮、乙醇等超聲處理,無需采用復(fù)雜的
電化學(xué)方法對銅箔進(jìn)行拋光等預(yù)處理過程,也無需長達(dá)數(shù)小時、高氫氣流量的退火過程,只需要在升溫之前抽盡反應(yīng)器中的空氣并保證在升溫過程中沒有氣體通入,通過這一簡便處理方法可以大幅度降低石墨烯在銅箔上的成核密度,且只需通過2-3小時的生長時間即可以生長出對邊距離達(dá)到1mm大小的單晶石墨烯。樣品經(jīng)掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、拉曼光譜分析(Raman)等手段表征證明為單晶石墨烯且具有較少的缺陷。
聲明:
“毫米級單晶石墨烯的簡便制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)