一種在CMP(化學(xué)機(jī)械磨光)機(jī)上優(yōu)化半導(dǎo)體晶片的CMP處理的方法。優(yōu)化方法包括在一個(gè)CMP機(jī)上磨光一個(gè)測試系列的半導(dǎo)體晶片的步驟。在CMP處理期間,利用連接于磨光機(jī)上的薄膜厚度檢測器來測量相應(yīng)晶片上接近于中心的第一點(diǎn)上的薄膜厚度。還要測量接近于相應(yīng)晶片的外部邊緣處第二點(diǎn)上的薄膜厚度。根據(jù)在第一點(diǎn)和第二點(diǎn)上測量的處理中的晶片的薄膜厚度,優(yōu)化處理確定一個(gè)描述與一組處理變量相關(guān)的清除率和清除均勻度的磨光輪廓。處理變量包括磨光處理的不同的CMP機(jī)設(shè)定,諸如施加于晶片上的向下作用力的大小。從而,磨光輪廓被隨后用于磨光產(chǎn)品晶片。對(duì)于每一個(gè)產(chǎn)品晶片,通過利用薄膜厚度檢測器測量晶片中心點(diǎn)和外部邊緣點(diǎn)的薄膜厚度,來確定其相應(yīng)的清除率和清除均勻度。基于這些測量,依照清除率和清除均勻度的測量結(jié)果來調(diào)整該組處理變量,在磨光每個(gè)相應(yīng)的產(chǎn)品晶片時(shí),優(yōu)化產(chǎn)品晶片的CMP處理。