利用化學(xué)氣相沉積方法(CVD方法)形成下包層、核心和上包層。至少調(diào)整氮氧化硅的氧的添加量,氮的添加量和硅的添加量之一,以便核心具有高于包層的所需折射率。此外,形成終點(diǎn)檢測器,在刻模形成核心的過程中,所述終點(diǎn)檢測器變成干蝕刻的蝕刻限位器。
聲明:
“光學(xué)開關(guān)元件及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)