本發(fā)明公開一種基于解析法制備定原子比的摻雜Ge2Sb2Te5相變薄膜的方法,根據(jù)摻雜原子比計算得到兩靶的沉積厚度比,進(jìn)而確定兩靶的濺射功率,制備形如Ax(Ge2Sb2Te5)100?x的薄膜,其中A為摻雜元素,x為待制備摻雜薄膜中摻雜原子的百分比,測試后調(diào)整兩靶的濺射功率得到所需摻雜原子比的薄膜;具體制備步驟為:計算兩靶的沉積薄膜厚度比,兩靶對應(yīng)薄膜的沉積速率,選取襯底和預(yù)處理,確定兩靶的濺射功率,濺射鍍膜,檢測薄膜的化學(xué)成分與目標(biāo)薄膜比照,微調(diào)濺射功率制備符合摻雜原子比的Ge2Sb2Te5薄膜。采用本發(fā)明的高效制備定摻雜原子比的共濺射薄膜的方法,大大縮短了探索鍍膜工藝參數(shù)的實(shí)驗(yàn)周期,本發(fā)明適用于任意兩種靶材通過共濺射得到摻雜薄膜的制備。
聲明:
“基于解析法制備定原子比的摻雜Ge2Sb2Te5相變薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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