本發(fā)明公開(kāi)了一種基于光刻蝕技術(shù)制備微電極陣列并修飾以導(dǎo)電基元及無(wú)機(jī)傳感涂層制備電化學(xué)無(wú)酶?jìng)鞲衅鞯闹苽浞椒?，涉及高分子材料科學(xué)、光刻蝕技術(shù)、電化學(xué)傳感器等領(lǐng)域。本發(fā)明中采用的光刻膠能夠?qū)崿F(xiàn)超高長(zhǎng)徑比微電極陣列的制備，在二維平面結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)三維結(jié)構(gòu)，大大增加涂層的比表面積，為制備高靈敏度電化學(xué)傳感器奠定了基礎(chǔ)，同時(shí)三維立體的微陣列結(jié)構(gòu)提高了涂層表面的粗糙度，有利于傳感涂層的有效負(fù)載。本發(fā)明中采用的原位電化學(xué)還原無(wú)機(jī)過(guò)渡金屬納米粒子的方法實(shí)現(xiàn)了具有電化學(xué)響應(yīng)的無(wú)機(jī)傳感涂層的制備，與導(dǎo)電微電極陣列具有協(xié)同作用。本發(fā)明所采用的技術(shù)操作簡(jiǎn)便，所構(gòu)建的傳感器對(duì)于待分析物具有靈敏度高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。