本發(fā)明屬于薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及碳基薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Al納米晶摻雜四面體非晶碳導(dǎo)電薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的Al納米晶摻雜ta?C導(dǎo)電薄膜為Al納米晶鑲嵌的四面體非晶碳母相結(jié)構(gòu),由Al金屬過(guò)渡層、Al梯度含量摻雜ta?C中間層和Al摻雜的ta?C層組成,薄膜中的Al摻雜含量為14.0at.%~39.6at.%;所述薄膜采用磁過(guò)濾電弧及磁控濺射復(fù)合沉積技術(shù)在金屬基底上沉積得到。本發(fā)明的Al納米晶摻雜ta?C薄膜具有高sp3碳?碳鍵含量、低殘余內(nèi)應(yīng)力、高化學(xué)穩(wěn)定性和高導(dǎo)電性,可應(yīng)用于燃料電池金屬雙極板、
電化學(xué)有機(jī)
污水處理薄膜電極和電化學(xué)重金屬離子檢測(cè)薄膜電極等領(lǐng)域。
聲明:
“Al納米晶摻雜四面體非晶碳導(dǎo)電薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)