本發(fā)明提供陽(yáng)極
氧化鋁膜表面納米陣列的形貌及在納米限域空間里控制其形貌生長(zhǎng)的方法、應(yīng)用,所述陽(yáng)極氧化鋁膜表面納米陣列的形貌是由氧化鋁膜和氧化鋁膜表面的納米陣列組成,所述納米陣列是ZIF?8納米孔陣列,所述納米孔陣列結(jié)構(gòu)分布均勻;孔的深度為60±5μm,深寬比為(4.7±3)×103。本發(fā)明提供的陽(yáng)極氧化鋁膜表面納米陣列在生物物理,生物化學(xué),離子檢測(cè),研究分子間相互作用,催化,分離,
儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用。本發(fā)明提供陽(yáng)極氧化鋁膜表面納米陣列的形貌及在納米限域空間里控制其形貌生長(zhǎng)的方法、應(yīng)用,合成方法簡(jiǎn)單,成本低,形貌易于觀察與檢測(cè)。得到的
納米材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,理化性質(zhì)穩(wěn)定,并可循環(huán)利用。
聲明:
“陽(yáng)極氧化鋁膜表面納米陣列的形貌及在納米限域空間里控制其形貌生長(zhǎng)的方法、應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)