本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于多
芯片T/R組件封裝殼體的高硅鋁
復(fù)合材料的鍍金方法,該方法的前處理按常規(guī)
鋁合金電鍍二次浸鋅處理方法分為清洗除油、堿蝕、出光、一次浸鋅、退鋅和二次浸鋅六個(gè)步驟;之后的操作步驟如下:1.在化學(xué)鍍鎳液中預(yù)鍍化學(xué)鎳;2.按常規(guī)鍍鎳方法第一次鍍鎳,鎳層厚度2~3微米;3.時(shí)效處理;4.活化處理;5.按常規(guī)鍍鎳方法第二次鍍鎳,鎳層厚度2~3微米;6.以純金板或鉑金鈦網(wǎng)作為陽極,高硅鋁復(fù)合材料為陰極,按常規(guī)鍍純金的方法,金層厚度2~3微米;7.鍍層結(jié)合力檢測(cè)。10倍放大鏡下觀察鍍層無起皮鼓泡現(xiàn)象,鍍層結(jié)合力很好。
聲明:
“應(yīng)用于多芯片T/R組件封裝殼體的高硅鋁復(fù)合材料的鍍金方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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