本發(fā)明涉及
芯片分析技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種超薄芯片的晶背制備方法,包括如下步驟:S1:使用熱熔膠固定芯片的錫球面,其中熱熔膠涂抹均勻;S2:裁剪板載體,其中板載體的最大截面面積大于芯片的最大截面面積;S3:使用熱熔膠將芯片粘接在板載體上,其中,所述板載體的中間部位開設(shè)形狀與芯片適配的卡接槽,芯片背面卡接在所述卡接槽內(nèi);S4:研磨去除表面的板載體,露出芯片背面;S5:化學(xué)法去除芯片背面的膠體;S6:拆下樣品;研磨時,受到的力會被板載體均勻開,同時板載體還能增加研磨的阻力,在厚度變薄時其進度會更容易控制,提高研磨的均勻度與質(zhì)量,使得芯片背面不會出現(xiàn)裂紋以及研磨更均勻。
聲明:
“超薄芯片的晶背制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)