本發(fā)明涉及硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硅片的物理清洗方法。首先分析硅片基底所帶的電荷;然后將硅片放入超聲波清洗設(shè)備,加入清洗液,通過超聲波震蕩清洗硅片。采用超聲波物理方法清洗硅片,利用電荷的相互作用去除硅片表面的污染物,避免了使用氫氧化鈉,氫氧化鉀等腐蝕性化學(xué)清洗方法對硅片的損傷。本發(fā)明的清洗劑中加入的表面活性劑和分散劑可使硅片表面存在的固體及液體顆粒有效溶解在清洗液中,同時(shí)也能防止顆粒的沉降和凝聚,形成安定的懸浮液,因此,在清洗的過程中,加入帶有表面活性劑和分散劑的清洗液,配合超聲波進(jìn)行清洗能夠有效的清洗硅片表面的污染物。
聲明:
“硅片的物理清洗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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