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光刻對準標記、光刻對準方法以及半導體器件制備方法

1071   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 08:04:05
本發(fā)明公開了一種光刻對準標記、光刻對準方法以及半導體器件制備方法，通過設置位于襯底上的前層結構，該前層結構中形成有沿第一方向相互平行且間隔排列的第一對準標記；位于前層結構上的覆蓋結構，該覆蓋結構中形成有多個沿第二方向相互平行的條形開口，其中，第一方向與第二方向不同，條形開口的延伸方向與第一對準標記的延伸方向呈夾角，且條形開口與第一對準標記部分重疊，以使得條形開口與第一對準標記的重疊部分作為光刻對準標記。通過設置與第一對準標記延伸方向呈夾角的多個、較小開口寬度的條形開口，可以有效避免后制程中在光刻對準區(qū)域上沉積材料層形成凹陷，避免化學機械研磨中對對準標記的損壞，以及濾除非檢測方向上的信號干擾。
聲明：
“光刻對準標記、光刻對準方法以及半導體器件制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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