本發(fā)明公開一種選擇性發(fā)射極電池掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD反應(yīng)爐腔，爐腔內(nèi)壓強(qiáng)抽真空；升高壓強(qiáng)，同時(shí)通入N2O；檢測(cè)爐管壓強(qiáng)，30s內(nèi)降低壓強(qiáng)；進(jìn)行預(yù)沉積處理，通入NH3、SiH4和N2O；沉積處理，同時(shí)向爐管內(nèi)通入NH3、？SiH4？和N2O；沉積完畢后降溫，同時(shí)通入N2進(jìn)行吹掃及冷卻處理。本發(fā)明方法制作氮氧化硅掩膜的低溫效果降低了溫度對(duì)硅片少子壽命的影響，同時(shí)在二次擴(kuò)散時(shí)不會(huì)因?yàn)楦邷貙?dǎo)致部分氫鍵斷裂造成氮化硅掩膜結(jié)構(gòu)損傷而引起掩膜功能失效，掩膜效果優(yōu)于氮化硅薄膜，同時(shí)還能阻擋其他雜質(zhì)金屬離子，降低硅片污染。