本發(fā)明屬于ESD
芯片制造領(lǐng)域,尤其是一種低電容ESD芯片制造工藝,針對(duì)現(xiàn)有的ESD芯片漏電流高,電容值高問(wèn)題,現(xiàn)提出如下方案,其包括以下步驟:S1、擴(kuò)散前處理:采用N型外延襯底,通過(guò)酸、SC3#配方清洗工序,對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理;S2、零層光刻,初氧;S3、基區(qū)光刻:正膠工藝刻出基區(qū);S4、基區(qū)補(bǔ)硼;S5、硼氧化:生成薄氧;S6、正面接觸區(qū)光刻,正面蒸鋁,正面金屬光刻;S7、真空合金,中檢;S8、正面貼膜保護(hù),背面磨片,背面蒸鈦鎳銀錫;S9、測(cè)試,本發(fā)明漏電流低,電容值低。
聲明:
“低電容ESD芯片制造工藝” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)