本發(fā)明公開了一種多參數(shù)高選擇性CMUTs氣體傳感器及其使用與制備方法,本發(fā)明采用SnO
2、ZnO、Fe
2O
3、WO
3等半導(dǎo)體金屬氧化物,將其同時(shí)用作CMUTs上電極以及敏感識(shí)別材料,利用其吸附氣體后同時(shí)引起薄膜質(zhì)量及上電極電阻變化的特性,實(shí)現(xiàn)物理、化學(xué)性質(zhì)相近或相似氣體分子的高選擇性敏感。薄膜質(zhì)量的變化會(huì)引起CMUT諧振頻率的變化;上電極電阻的變化會(huì)引起CMUT上下電極間交流電壓幅值的變化,進(jìn)而引起CMUT薄膜振動(dòng)幅值的變化,通過諧振頻率和薄膜振動(dòng)位移幅值這兩種輸出參數(shù)的變化可實(shí)現(xiàn)氣體分子的高選擇性檢測。此外,由于半導(dǎo)體氧化物敏感材料在溫度調(diào)節(jié)下具有可重復(fù)使用性,因此本發(fā)明CMUT氣體傳感器除了具有高選擇性外,還具有很好的重復(fù)性。
聲明:
“多參數(shù)高選擇性CMUTs氣體傳感器及其使用與制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)