本發(fā)明涉及一種用聚焦離子束加工納米雙極電極陣列的方法,所述方法包括如下步驟:(1)在電極載體的一側(cè)沉積10?200nm的導電薄膜,之后采用聚焦離子束在沉積導電薄膜的對側(cè)制備納米孔陣列;(2)在步驟(1)所述納米孔陣列中的孔洞內(nèi)沉積電極材料,之后采用聚焦離子束對沉積電極材料的納米孔陣列進行刻蝕,然后將步驟(1)沉積的導電薄膜去除,得到所述納米雙極電極陣列。本發(fā)明提供的納米雙極電極陣列的加工方法,可以增強其導電性,降低電荷累積現(xiàn)象,提高電子/離子束的成像分辨率。所述雙電極陣列可以對細胞以及化學反應電信號的進行檢測。
聲明:
“利用聚焦離子束加工納米雙極電極陣列的方法及用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)