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納米二氧化錫氣敏材料的制備方法

946   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:11:52
一種納米二氧化錫氣敏材料的制備方法,屬于半導(dǎo)體氧化物氣敏材料領(lǐng)域。本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積法在SnO2納米顆粒表面通過乙炔氣體分解制備碳包覆的SnO2納米顆粒,后經(jīng)退火處理調(diào)控表面碳材料的構(gòu)成和形貌,得到氣敏性能顯著增強(qiáng)的碳修飾的納米SnO2氣敏材料。本發(fā)明首次將碳修飾的納米SnO2材料應(yīng)用于氣體檢測方向,相對(duì)于其他提高氣敏材料性能的方法,如濺射或蒸發(fā)制備金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜、溶膠凝膠法制備具有特殊微結(jié)構(gòu)形貌的納米顆粒、修飾摻雜貴金屬Pt、Pd、Au等方法,本發(fā)明具有方法簡單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn),且得到的碳修飾的SnO2納米氣敏材料的氣敏性能有顯著的提高,在氣敏材料領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“納米二氧化錫氣敏材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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