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金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法

991 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:14:36

本專利涉及金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法，所得的四氧化三鈷納米片骨架具有較好的平行多層結構和取向性，復合后的材料具有海綿體的多孔結構，且保持了骨架原有的有規(guī)律取向，與普通相互交叉片不同，近乎平行的納米片提供了長程有序、穩(wěn)定統(tǒng)一的導電路徑，有利于電子的順利傳遞。核殼材料的厚度為200?500?nm，殼層厚度為5?15?nm，適當?shù)臍雍穸取⒍嗫捉Y構和垂直生長，使得核材料的電化學特性得到充分發(fā)揮，電化學測試結果表明，在電流密度為0.5?A·g^?1時，單電極比容量為715?F·g^?1，當電流密度增大到8?A·g^?1時，比容量的保持率為72%。

聲明：

“金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)