本發(fā)明采用一種經(jīng)過改良的化學(xué)氣相沉積(CVD)法,結(jié)合離子交換機制和氣液固(VLS)生長機制制備出組份連續(xù)可調(diào)的InAsxP1-x合金納米線。其化學(xué)式為InAsxP1-x,其中0≤x≤1。這些合成的納米線都有好的結(jié)晶質(zhì)量。且低溫(77K)下的光致發(fā)光表明這些InAsxP1-x納米線呈現(xiàn)出與組分相關(guān)的帶邊發(fā)射,峰值波長從860nm到2900nm連續(xù)可調(diào)。該方法簡單,成本較低,可操作性強。運用該方法合成的InAsxP1-x合金納米線在紅外光探測,生物傳感以及可調(diào)諧光電器件等領(lǐng)域都有潛在的運用價值。
聲明:
“InAsxP1-x合金納米線及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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