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高阻尼形狀記憶合金及其制備方法

1108 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:14:36

本發(fā)明公布了一種高阻尼形狀記憶合金及其制備方法，該形狀記憶合金的化學式為Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6)；按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化學計量比，將Ni、Cu、Mn和Ga單質放入電弧熔煉爐中，并抽真空再充入氬氣在110A下熔煉得到鑄錠，并將鑄錠反復熔煉后經(jīng)高溫固溶處理后淬火至室溫，得到高阻尼形狀記憶合金。對Ni55-xCuxMn25Ga20形狀記憶合金體系的阻尼測試表明，這些樣品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q-1均大于0.03，最大峰值達到0.0771。阻尼峰的溫度范圍很寬，可達到200K-430K，完全覆蓋環(huán)境溫區(qū)，且阻尼峰不隨頻率變化、穩(wěn)定性高，具有實際應用價值。

聲明：

“高阻尼形狀記憶合金及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)