本申請(qǐng)公開了一種碳化硅晶片的位錯(cuò)識(shí)別方法及碳化硅晶片與應(yīng)用。該方法包括將待測(cè)碳化硅晶片進(jìn)行拋光處理，得到第一碳化硅晶片，其表面粗糙度Rq≤0.8nm，使用熱堿液腐蝕所述第一碳化硅晶片的表面，得到表面顯現(xiàn)出位錯(cuò)腐蝕坑的第二碳化硅晶片，對(duì)所述第二碳化硅晶片進(jìn)行光學(xué)顯微觀測(cè)，識(shí)別所述位錯(cuò)。現(xiàn)有技術(shù)通常在熱堿腐蝕前進(jìn)行研磨、機(jī)械拋光、化學(xué)機(jī)械拋光等工藝，本申請(qǐng)發(fā)現(xiàn)只需使表面粗糙度降低至一定閾值，即可去除光學(xué)顯微觀測(cè)位錯(cuò)時(shí)存在的水滴狀干擾，不需要將表面粗糙度降得過低，如在機(jī)械拋光階段進(jìn)行工藝優(yōu)化，可以省去最終化學(xué)機(jī)械拋光加工工藝。本申請(qǐng)方法具有操作簡(jiǎn)便，不需要復(fù)雜的試劑、效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。