描述了一種用于沉積超平滑的含硅膜和膜堆疊的方法和硬件。在一種實(shí)施方式中,公開了在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中在襯底上形成含硅膜的方法的一種實(shí)施方式,該方法包括:供給含硅反應(yīng)物至該等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置;供給共反應(yīng)物至該等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置;供給電容耦合等離子體至該等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置的處理站,該等離子體包括從該含硅反應(yīng)產(chǎn)生的硅自由基和從該共反應(yīng)物產(chǎn)生的共反應(yīng)物自由基;以及在該襯底上沉積該含硅膜,該含硅膜具有介于1.4和2.1之間的折射率,該含硅膜還具有在硅襯底上測量的小于或等于4.5埃的絕對粗糙度。
聲明:
“平滑的含硅膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)