本發(fā)明涉及一種大面積硒摻雜二硫化鉬薄膜材料的制備方法，采用化學氣相沉積法和雙溫區(qū)管式爐，以Si/SiO2為基板，采用MoO3作為鉬源，硫粉作為硫源，硒粒作為硒源，得到面積為1000-1200平方微米的單層硒摻雜二硫化鉬薄膜材料。將基片置于盛有鉬源的瓷舟之上，將瓷舟置于雙溫區(qū)管式爐的下溫區(qū)；將盛有硫源和硒源的瓷舟置于雙溫區(qū)管式爐上溫區(qū)，其中硫源和硒源的質(zhì)量S : Se為0.25-4：1，并將雙溫區(qū)管式爐封裝起來。本發(fā)明制備方法簡便易操作、時間短、重復性好，對儀器設備要求低。制備硒摻雜二硫化鉬的薄膜面積增大了一個數(shù)量級，有明顯的優(yōu)勢，制備所得到的薄膜材料有望應用到光開關、光電晶體管、光探測器等領域。