本發(fā)明屬于
納米材料制備技術領域，公開了一種二維硫化鎢基垂直異質結構材料的制備方法。所述硫化鎢基垂直異質結構的制備方法為：采用化學氣相沉積法，以Si/SiO
2為襯底，磁控濺射的Mo/W薄膜為Mo、W源，與硫蒸氣反應，在Mo/W薄膜附近三個不同區(qū)域制備得到WS
2基垂直異質結構，即WS
2/MoS
2、WS
2/MoS
2?Mo
0.42W
0.58S
2、WS
2/Mo
1?xW
xS
2(0≤x≤0.75)。所得WS
2基垂直異質結構的形貌為兩種不同尺寸的晶體堆疊而成的三角形，可作為晶體管的溝道材料應用于超薄電子器件領域。本發(fā)明所述制備方法選用磁控濺射的Mo/W超薄薄膜作為Mo、W源，通過Mo、W源蒸發(fā)溫度的差異和有效蒸發(fā)面積的不同，以及隨時間和距離變化的Mo、W源的濃度分布，成功實現(xiàn)二維WS
2基垂直異質結構的組分調變。所述WS
2基垂直異質結構具有可調的發(fā)射光波長，在光探測器件中有潛在的應用價值。
聲明：
“二維硫化鎢基垂直異質結構材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月25日 ~ 27日 
