本發(fā)明公開了一種單晶硅傳感器
芯片的加工方法,該單晶硅傳感器芯片的加工方法包括以下步驟:晶圓處理工序,取適量的研磨粒,并且勾兌一定的水分,形成研磨液,利用研磨液對晶圓進行雙面研磨之后,清洗并氧化晶圓的表面,除去晶圓表面的研磨殘留物,使得晶圓的表面進行鈍化,降低晶圓表面的活性;取框架單元,該框架單元具有帶、環(huán)狀的框架以及該被加工物;根據第一參數規(guī)范和測試條件得到第一測試結果;本發(fā)明單晶硅傳感器芯片的加工方法,采用濕法腐蝕對晶片表面進行處理,其是通過化學蝕刻液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的刻蝕方法,選擇性高、均勻性好、對晶片損傷少,具有優(yōu)異的使用前景。
聲明:
“單晶硅傳感器芯片的加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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