本發(fā)明涉及Mn27Si47-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列和Mn27Si47一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法。本發(fā)明以化學(xué)刻蝕方法制備出的硅納米線陣列作為硅源,以MnCl2為Mn源,通過(guò)原位反應(yīng)得到Mn27Si47-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列或Mn27Si47一維納米線陣列。本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)單,得到的Si-Mn27Si47異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列中的Mn27Si47和Mn27Si47一維納米線均為單晶結(jié)構(gòu),納米線的直徑都為100~300nm,長(zhǎng)度都為20μm。本發(fā)明制備的Mn27Si47-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列和Mn27Si47一維納米線陣列在基于Si納米線的紅外探測(cè)器、太陽(yáng)能
光伏器件等方面具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“Mn27Si47-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線陣列或Mn27Si47納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)