本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域,尤其涉及一種α?MnSe納米片及其制備方法與用途。所述α?MnSe納米片的制備方法包括:以Se和錳源為原料,經(jīng)化學(xué)氣相沉積法制得;所述錳源為MnO
2或MnCl
2。本發(fā)明通過選擇特定的原料,通過化學(xué)氣相沉積法(CVD),在云母基底上制備得到α?MnSe納米片;該α?MnSe納米片是一種反鐵磁的寬帶隙半導(dǎo)體。本發(fā)明提供的制備方法對(duì)α?MnSe納米片的尺寸和厚度的可控性好,且工藝簡單、合成速度快,制備得到的α?MnSe納米片結(jié)晶質(zhì)量高,穩(wěn)定性好。本發(fā)明對(duì)二維磁性研究提供了很好的材料選擇;將本發(fā)明制得的α?MnSe納米片應(yīng)用于光電探測器件中,具有非常優(yōu)異的光探測性能。
聲明:
“α-MnSe納米片及其制備方法與用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)