本發(fā)明公開了一種監(jiān)控CMP研磨劑的腐蝕抑制劑的方法,包括:一、在CMP設(shè)備研磨墊(3)下方接入工作電極(1),同時(shí)在研磨劑(4)中接入?yún)⒖茧姌O和微電極,參考電極和微電極分別與工作電極連接并與一臺(tái)處理器連接以測(cè)量電流和電勢(shì);二、在研磨劑中加入腐蝕抑制劑,在硅片(2)上方施加壓力并使硅片和研磨墊產(chǎn)生摩擦作用;三、跟蹤處理器上實(shí)時(shí)的電流和電勢(shì)的變化來評(píng)價(jià)腐蝕抑制劑的性能,四、記錄三的結(jié)果并選定合適的研磨劑中腐蝕抑制劑用于。上述步驟一中工作電極與硅片在硅片的每一個(gè)循環(huán)周期會(huì)接觸一次。本發(fā)明在CMP過程引入摩擦
電化學(xué)技術(shù)來監(jiān)控中金屬表面的特性變化,從而獲得相應(yīng)的腐蝕抑制劑的精確信息并可據(jù)此選擇合適的腐蝕抑制劑。
聲明:
“監(jiān)控CMP研磨劑的腐蝕抑制劑的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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