本發(fā)明公開(kāi)了一種大面積MoS2薄膜生長(zhǎng)方法,采用化學(xué)氣相沉積法制備大面積MoS2薄膜,具體步驟如下:1)將三氧化鉬和硫粉分別放置在爐子的中心和端頭位置,將SiO2基底a、導(dǎo)熱層b、瓷片c依次疊放平放在鉬源上方,封閉連接管路;2)在封閉的石英管中通入保護(hù)氣體5-10分鐘進(jìn)行排空,打開(kāi)爐子加熱開(kāi)關(guān),升溫至700-800℃,保溫10分鐘,關(guān)閉加熱,冷卻至室溫,即可獲得尺寸范圍50-300微米的MoS2薄膜。本發(fā)明提供的大面積MoS2薄膜的制備方法,可以大大縮短制備薄膜的反應(yīng)時(shí)間,并且制備出的形貌均勻,所制備的MoS2薄膜可以應(yīng)用于光電探測(cè)器件、邏輯電路、電子元器件等領(lǐng)域。
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“大面積MoS2薄膜生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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