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硒化鎘或硫化鎘二維單晶納米片的制備方法

1078   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:20:17
本發(fā)明公開一種硒化鎘或硫化鎘二維單晶納米片的制備方法。該方法采用范德華外延生長技術制備CdSe或CdS二維單晶納米片，此方法的特征是采用表面光滑且無化學懸鍵的云母片為襯底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉為源材料，氬氣為載氣，在高溫條件下CdCl2蒸氣與Se或S蒸氣反應形成CdSe或CdS蒸氣，然后沉積到云母片上形核并外延生長成為CdSe或CdS二維單晶納米片。該法操作簡單、成本較低、可控性強，獲得的CdSe或CdS具有尺寸均勻性好、結晶度高等優(yōu)點，在太陽能電池、場效應晶體管、光電探測器、光催化等領域具有重要的研究價值和廣泛的應用前景。
聲明：
“硒化鎘或硫化鎘二維單晶納米片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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