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調(diào)節(jié)GaAs基二維光子晶體微腔共振模式的方法

710 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:20:18

本發(fā)明公開了一種調(diào)節(jié)GaAs基二維光子晶體微腔共振模式的方法,包括如下步驟:A、制作GaAs基二維光子晶體;B、將GaAs基二維光子晶體置于過氧化氫中氧化,在GaAs表面形成一定厚度的氧化層薄膜;C、在常溫下用質(zhì)量濃度為18%的鹽酸溶液腐蝕GaAs基二維光子晶體表面層的氧化層,用微區(qū)PL光譜測量光子晶體的微腔模式的變化;D、重復步驟B和C,直至獲得光子晶體微腔模式與量子點發(fā)光波長相等,產(chǎn)生共振,停止腐蝕。利用本發(fā)明,通過精確調(diào)節(jié)光子晶體孔洞的方法可以達到準確控制光子晶體微腔模式的目的,同時通過化學腐蝕可以改善孔洞側(cè)壁的平滑度,提高光子晶體微腔的品質(zhì)因子。

聲明：

“調(diào)節(jié)GaAs基二維光子晶體微腔共振模式的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)