一種微納多孔硅材料的制備方法,屬于半導(dǎo)體光電子材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。此方法是為了解決以下問題:傳統(tǒng)工藝制備而成的多孔硅表面形貌單一,在吸光、提高光電流增益、延伸光譜響應(yīng)等特性上有待提高。本發(fā)明結(jié)合
電化學(xué)腐蝕法與金屬催化刻蝕法的優(yōu)點,對電化學(xué)方法制備的多孔硅表面進(jìn)行金屬催化刻蝕法作進(jìn)一步修飾,使它表面具有微納結(jié)構(gòu),改善材料的光吸收率、反射率、霍爾效應(yīng)、溫度電阻變化系數(shù)等光電性能。使得半導(dǎo)體表面微結(jié)構(gòu)化比傳統(tǒng)半導(dǎo)體具有更大的應(yīng)用價值,可用于基于多孔硅的光電探測器和
太陽能電池,能有效提高器件效率及響應(yīng)速度,且制備工藝簡單、成本較低,對微結(jié)構(gòu)材料應(yīng)用于新型光電探測器的研究具有非常重要的意義。
聲明:
“微納多孔硅材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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