本發(fā)明屬于
新材料技術(shù)制備領(lǐng)域,具體為Ti2AlC?MAX相薄膜的制備方法。本發(fā)明采用射頻磁控濺射的方式,濺射元素Ti和Al靶為固體復(fù)合靶,通過計算元素濺射率和測得的薄膜化學(xué)元素比調(diào)整固體靶的面積比,從而得到薄膜中理想的化學(xué)元素比;采用C的氫化物C2H2氣體作為C元素靶來提高C元素的活性,通過控制通入的氣體Ar氣和C2H2氣體的流量大小和比例,使薄膜中的最終元素比達(dá)到接近Ti2AlC的化學(xué)元素比。本發(fā)明通過改變基體溫度,沉積時間和濺射功率等參數(shù),可較為精確的調(diào)整制備薄膜的厚度、晶粒尺寸,從而得到厚度和晶粒尺寸可控的純相高品質(zhì)多晶薄膜。
聲明:
“Ti2AlC MAX相薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)