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帶外圍電路的分離柵極式快閃存儲器的制作方法

1070 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:20:19

一種帶外圍電路的分離柵極式快閃存儲器的制作方法，包括提供具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導體基底；在第一區(qū)域形成柵極疊層；淀積厚度為外圍電路晶體管柵極所需厚度的第一多晶硅層；在第二區(qū)域形成氧化硅層；淀積第二多晶硅層，至少填滿第一多晶硅層表面以及第一多晶硅層和所述氧化硅層交界處的凹坑；全局化學機械研磨至表面平坦；進行全局刻蝕，刻至第一區(qū)域露出硬掩膜層；去除氧化硅層。本發(fā)明通過化學機械研磨及刻蝕的終點探測的二者優(yōu)點的有機結(jié)合，可避免化學機械研磨過研磨帶來的終端隔離性差的問題及外圍區(qū)的局部高低差引起的多晶硅殘留的問題，也能避免直接進行刻蝕導致的表面凹坑底部被過刻蝕損傷到下層介質(zhì)層尤其是襯底硅層的情況。

聲明：

“帶外圍電路的分離柵極式快閃存儲器的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)