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Co₉S₈/Ni-Co-Mo羥基氧化物中空核殼電極材料的制備方法

994 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:20:20

本發(fā)明具體涉及一種碳布原位生長中空三維Co₉S₈/Ni?Co?Mo羥基氧化物核殼電極材料的制備方法，中空Co₉S₈納米管有利于電解質滲透，并且硫化鈷具有高導電性，同時使材料的結構穩(wěn)定性提高，外延生長Ni?Co?Mo羥基氧化物納米片具有較高的比電容，形成的中空三維網(wǎng)絡結構為電子和離子傳輸和滲透提供通道和更多活性位點，從而提高電化學性能，電化學性能測試結果表明，在電流密度為3 mA cm^?1時，單電極比容量達到6.2 F·cm^?2。

聲明：

“Co₉S₈/Ni-Co-Mo羥基氧化物中空核殼電極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)