本發(fā)明公開了一類打斷共軛型聚合物
半導體材料及其制備方法和應用,該半導體材料的結構以環(huán)戊并二噻吩為骨架,具有選自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化學式的結構:制備方法:先通過環(huán)戊并二噻吩酮或者其衍生物與格氏試劑反應制備叔醇,然后在室溫下,通過叔醇的傅克均聚反應,合成打斷共軛型聚合物。本發(fā)明提供的聚合物材料有很寬的紫外吸收峰、窄的能帶結構和
電化學穩(wěn)定性良好并可以捕獲電子等性能特點,在有機電存儲、
太陽能電池和近紅外探測領域具有很好的應用前景。且該材料的制備方法具有操作簡單、反應條件溫和、產率高等特點,易于工業(yè)應用。
聲明:
“打斷共軛型聚合物半導體材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)